Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF5210, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 100 V, -40 A
EAN: 2050000040986
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF5210PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 60 mΩReferenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 40 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 24 AC(ISS): 2700 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 180 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
Cena 99 Kč v 1 obchodě
Obchody, které prodávají Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF5210, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 100 V, -40 A
Zobrazit historii ceny Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF5210, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 100 V, -40 A
Historie nejnižsí ceny Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF5210, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 100 V, -40 A. Porovnání obchodů, které prodávají Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF5210, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 100 V, -40 A.
Vishay Sihp240N60E-Ge3 Mosfet, N-Ch, 1
Diodes Inc. Dmn3042L-7 Mosfet, N-Ch, 3
Vishay Sish472Dn-T1-Ge3 Mosfet, N-Ch, 
Onsemi Ntmys1D2N04Cltwg Mosfet, N-Ch, 
Stmicroelectronics Std95N4F3 Mosfet, N
Onsemi Smmjt350T3G Transistor, Pnp, -3
DIL14 patice obyčejná RM 2,54mm
Stmicroelectronics Stp140N8F7 Mosfet, 
Vishay Sihd1K4N60E-Ge3 Mosfet, N-Ch, 4
Nexperia Buk9M9R5-40Hx Mosfet, N-Ch, A
Stmicroelectronics Bta41-700Brg Triac,
Nexperia Psmnr90-40Ylhx Mosfet, N-Ch,
